KCX3310A場效應(yīng)管參數(shù),100V 85A,5mΩ,引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-10-30
KCX3310A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大為85A；RDS（on）（典型值）=5mΩ@Vgs=10V，3310A采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，具有極低的開關(guān)損耗、卓越的穩(wěn)定性、良好的開關(guān)特性等優(yōu)點(diǎn)，適用于電源切換應(yīng)用、硬開關(guān)和高頻電路、不間斷電源等。封裝形式：DFN5*6、TO-263。
RDS低（打開）和FOM
極低的開關(guān)損耗
采用先進(jìn)的SGT技術(shù)
卓越的穩(wěn)定性和均勻性
快速切換和軟恢復(fù)
電源切換應(yīng)用
低導(dǎo)通電阻（典型值）RDS（導(dǎo)通）=5mΩ
硬開關(guān)和高頻電路
不間斷電源
漏極-源極電壓：100V
連續(xù)漏極電流：TO-263 90A/DFN5*6 85A
脈沖漏極電流：TO-263 360A/DFN5*6 340A
雪崩能量：529mJ
柵極-源極電壓：±20 V
功率耗散：TO-263 166W/DFN5*6 90W
連接和儲存溫度范圍：-55 to 150℃
聯(lián)系方式：鄒先生
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