110n8f5場效應(yīng)管參數(shù),100n08參數(shù)及代換,引腳,2908B-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-01
FHP110N8F5B場效應(yīng)管具有147A電流、85V電壓， RDS(on) = 5.5mΩ(max) 最高柵源電壓@VGS =±20 V；封裝形式：TO-263、TO-220。
Vgs（±V）：20；
VTH（V）：2-4；
ID（A）：147A；
BVdss（V）：85V
FHP100N08場效應(yīng)管參數(shù)：
Vgs（±V）：25；
VTH（V）：2.5-3.5；
ID（A）：100-120；
BVdss（V）：80；
RDS (on) = 7.5mΩ(typ)@V GS =10V；
封裝形式：TO-220/TO-263，腳位排列位GDS。
KNX2908B場效應(yīng)管采用先進(jìn)的N溝道溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓80V, 漏極電流最大值為130A ,RDS(on) =5.0mΩ(typ)@VGS=10V，封裝形式是TO-220、TO-263、TO-3P；具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特點，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能。
這一款130A、80V大流量、低電壓的MOS管能夠代換110n8f5和100n08這兩款型號來使用。110n8f5,100n08代換MOS管KNX2908B廣泛應(yīng)用于DC/DC電源、DC-AC逆變器、開關(guān)電源、UPS、BLDC電機(jī)驅(qū)動及鋰電池保護(hù)板上。
KNX2908B特性：
VDS=80V，ID=130A，RDS（ON）（典型值）=5.0mΩ@VGS=10V
低Rdson的高密度電池設(shè)計
完全表征雪崩電壓和電流
穩(wěn)定性和均勻性好，EAS高
出色的封裝，散熱良好
KIA半導(dǎo)體產(chǎn)生的MOS管場效應(yīng)管已經(jīng)廣泛應(yīng)用于智能家居、新能源電子領(lǐng)域：如智能音響、家用電器、LED照明、逆變電源、電瓶車、電腦電源、充電器、汽車電子等行業(yè)，竭誠為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品以及配套服務(wù)?？筛鶕?jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品以及免費試樣、技術(shù)支持。
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