p06p03lvg場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖,p06p03lvg代換-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2023-11-20
KIA7P03A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，具有超低柵電荷、優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減等；封裝形式：SOP-8。
KIA7P03A場(chǎng)效應(yīng)管非常適合應(yīng)用于鋰電池保護(hù)板、智能醫(yī)療等產(chǎn)品領(lǐng)域，KIA7P03A場(chǎng)效應(yīng)管可以代換NIKO-SEM(尼克森) 場(chǎng)效應(yīng)管P06P03LVG型號(hào)進(jìn)行使用，KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提供出色的導(dǎo)通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵極電荷。KIA7P03A滿(mǎn)足RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
RDS（ON）= 18mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
超低柵電荷
綠色的可用設(shè)備
優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減
先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)
產(chǎn)品型號(hào)：KIA7P03A
工作方式：-7.5A/-30V
漏源電壓：-30V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：-7.5A
脈沖漏極電流：-50A
雪崩電流：-38A
雪崩能量：72.2mJ
耗散功率：31W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：-30V
溫度系數(shù)：-0.022V/℃
柵極閾值電壓：2.5V
輸入電容：1345PF
輸出電容：194PF
上升時(shí)間：19.6ns
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶(hù)需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶(hù)提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
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