nce0117k參數(shù),nce0117k代換,KIA6110A中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-11
VDS=100V，ID=17A
RDS（on）<70mΩ @ VGS=10V（Typ：56mΩ)
RDS（on）<85mΩ @ VGS=4.5V（Typ：65mΩ)
漏源電壓(Vdss)：100V
連續(xù)漏極電流(Id)：17A
功率(Pd)：55W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,5A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
KIA6110是性能出色的溝槽N溝道MOSFET，先進的高單元密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)設(shè)計等特性，可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。KIA6110A 12A 100V場效應(yīng)管能夠代換nce0117k型號使用，高效穩(wěn)定。
KIA6110A 12A 100V場效應(yīng)管封裝形式：TO-252/251，出色的封裝，散熱良好，符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證，全功能可靠性獲得批準(zhǔn)。KIA6110A廣泛應(yīng)用于防盜器、LED驅(qū)動、霧化器等產(chǎn)品；其他熱銷領(lǐng)域有負(fù)載同步降壓變換器高頻點、聯(lián)網(wǎng)DC-DC電源系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)等。
漏源電壓：100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：12A
脈沖漏極電流：24A
雪崩電流：11A
雪崩能量：7.3mJ
耗散功率：34.7W
熱電阻：3.6℃/W
漏源擊穿電壓：100V
溫度系數(shù)：0.098V/℃
柵極閾值電壓：1.0V
輸入電容：1535 PF
輸出電容：60 PF
上升時間：8.2 ns
KIA半導(dǎo)體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關(guān)電源生產(chǎn)廠家的優(yōu)質(zhì)選擇。KIA半導(dǎo)體MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營：場效應(yīng)管（MOS管）、COOL MOS（超結(jié)場效應(yīng)管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管；廣泛應(yīng)用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機等領(lǐng)域；可申請免費送樣以及報價、技術(shù)支持服務(wù)。
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