詳細(xì)詳解mos管的工作原理，最全面的mos管工作原理文章
信息來(lái)源：本站 日期：2017-09-22
根據(jù)導(dǎo)通溝道的載流子性質(zhì)MOS管可分為NMOS管（即N溝道MOS管）與PMOS管（即P溝道MOS管）。NMOS管是指其導(dǎo)電溝道中的導(dǎo)電電荷為電子，而PMOS管則是指其導(dǎo)電溝道中的導(dǎo)電電荷為空穴。
根據(jù)溝道的導(dǎo)通條件（MOS管的柵／源電壓VGS為0時(shí)是否存在導(dǎo)通溝道）MOS管又可分為增強(qiáng)型MOS管與耗盡型MOS管兩類(lèi)：增強(qiáng)型MOS管足指在MOS管的柵/源電壓VGS為0時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，而必須依靠柵／源電壓的作用，才能形成感生溝道的MOS管；耗盡型
MOS管則是指即使在MOS管柵／源電壓VGS為0時(shí)也存在導(dǎo)電溝道的MOS管。這兩類(lèi)MOS管的基本工作原理一致，都是利用柵／源電壓的大小來(lái)改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。所以MOS管可以分為四類(lèi)：增強(qiáng)型NMOS管、耗盡型NMOS管、增強(qiáng)型PMOS管及耗盡型PMOS管。
下面以增強(qiáng)型NMOS管與耗盡型NMOS管為例說(shuō)明MOS管的工作原理。
當(dāng) NMOS管的柵極與源極短接（即NMOS管的柵／源電壓VGS=O）時(shí)，源區(qū)（N+型）、襯底（P型）和漏區(qū)（N+型）形成兩個(gè)背靠背的PN結(jié)，不管NMOS管的漏／源電壓VDS的極性如何，其中總有一個(gè)PN結(jié)是反偏的，所以NMOS管源極與漏極之間的電阻主要為PN結(jié)的反偏電阻，基本無(wú)電流流過(guò)，即NMOS管的漏極電流ID為0。例如，如果NMOS管的源極s與襯底相連，并接到系統(tǒng)的最低電位，而漏極接電源正極時(shí)，漏極和襯底之間的PN結(jié)是反偏的，此時(shí)漏／源之間的電阻很大，沒(méi)有形成導(dǎo)電溝道。
若在NMOS管的柵／源之間加l正向電壓VGS（即NMOS管的柵極接高電位，源極接低電位），則柵極和P型襯底之間就形成了以柵氧（即二氧化硅）為介質(zhì)的平板電容器。在正的柵／源電壓作用下，介質(zhì)中產(chǎn)生了一個(gè)垂直于硅片表面的由柵極指向P型襯底的強(qiáng)電場(chǎng)（由于絕緣層很薄，即使只有幾伏的柵／源電壓VGS，也可產(chǎn)生高達(dá)lO5-lO6V/cm數(shù)量的強(qiáng)電場(chǎng)），這個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)會(huì)排斥襯底表面的空穴而吸引電子，因此，使NMOS管柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，留下不能移動(dòng)的受主離子（負(fù)離子），形成了耗盡層，同時(shí)P型襯底中的少子（電子）被吸引P襯底表面，如圖1.3(a)所示。當(dāng)正的柵／源電壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P型硅表面便形成了一個(gè)N型薄層，通常把這個(gè)在P型硅表面形成的N型薄層稱(chēng)為反型層，這個(gè)反型層實(shí)際上就構(gòu)成廠(chǎng)源極和漏極間的N型導(dǎo)電溝道，如圖1.3(b)所示。由于它是柵／源正電壓感應(yīng)產(chǎn)生的，所以也稱(chēng)感生溝道。顯然，柵／源電壓VGS正得越多，則作用于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)就越強(qiáng)，吸引到P型硅表面的電子就越多，感應(yīng)溝道（反型層）將越厚，溝道電阻將越小。
感應(yīng)溝道形成后，原來(lái)被P型襯底隔開(kāi)的兩個(gè)N+型區(qū)（源區(qū)和漏區(qū)）就通過(guò)感應(yīng)溝道連接生一起。因此，在正的漏／源電壓作用下，電子將從源區(qū)流向漏區(qū)，產(chǎn)生了漏極電流ID。一般把生漏/源電壓作用下開(kāi)始導(dǎo)電時(shí)的柵/源電壓叫做NMOS管閾值電壓（或開(kāi)啟電壓）Vth。
當(dāng)NMOS管的柵／源電壓VGS大丁等于Vth時(shí)，外加較小的漏／源電壓VDS時(shí)，漏極電流ID將隨VDS上升迅速增大，此時(shí)為線(xiàn)性區(qū)（也可稱(chēng)為三極管區(qū)），但由于溝道存在電位梯度，即NMOS管的柵極與溝道間的電位差從漏極到源極逐步增大，兇此所形成的溝道厚度是不均勻的，靠近源端的溝道厚，而靠近漏端的溝道薄。
當(dāng)VDS增大到一定數(shù)值，即VGD=Vth時(shí)，靠近漏端的溝道厚度接近為0，即感應(yīng)溝道在漏端被夾斷，如圖1.3(c)所示；VDS繼續(xù)增加，將形成一夾斷區(qū)，且?jiàn)A斷點(diǎn)向源極靠近，如圖1.3(d)所示。溝道被夾斷后，VDS上升時(shí)，其增加的電壓基本上加在溝道厚度為零的耗盡區(qū)上，而溝道兩端的電壓保持不變，所以ID趨于飽和而不再增加，此時(shí)NMOS管工作在飽和區(qū)，在模擬集成電路中飽和區(qū)是NMOS管的主要工作區(qū)。要注意，此時(shí)溝道雖產(chǎn)生了災(zāi)斷，但由于漏極與溝道之間存在強(qiáng)電場(chǎng)，電子在該電場(chǎng)作用下被吸收到漏區(qū)而形成了從源區(qū)到漏區(qū)的電流。
另外，當(dāng)VGS增加時(shí)，由于感應(yīng)溝道變厚，溝道電阻減小，飽和漏極電流會(huì)相應(yīng)增大。
若VDS大于某一擊穿電壓BVDS（二極管的反向擊穿電壓），漏極與襯底之間的PN結(jié)發(fā)生反向擊穿，ID將急劇增加，進(jìn)入雪崩區(qū)，漏極電流不經(jīng)過(guò)溝道，而直接由漏極流入襯底。
注意與雙極型晶體管相比，一個(gè)MOS管只要形成了導(dǎo)電溝道，即使在無(wú)電流流過(guò)時(shí)也可以認(rèn)為是開(kāi)通的。
耗盡型NMOS管的幾何結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型相同。但在制造時(shí)，在二氧化硅絕緣層中摻入大量的正離子，根據(jù)電荷感應(yīng)原理，即使在VGS=O時(shí)，由于正離子的作用，在源區(qū)和漏區(qū)之間的P型襯底上感應(yīng)出較多的負(fù)電荷（電子），形成N型溝道，因此即使柵／源電壓為零時(shí)，在正的VDS作用下，也存在較大的漏極電流ID。如果所加的柵／源電壓VGS為負(fù)，則會(huì)使溝道中感應(yīng)的負(fù)，U荷減少，從而使漏極電流減小，所以稱(chēng)為耗盡型NMOS管，當(dāng)柵／源電脹r。s更負(fù)時(shí)，則會(huì)使之不能感應(yīng)出負(fù)電荷，因而不能形成感應(yīng)溝道，此時(shí)的柵／源電壓VGS稱(chēng)為耗盡型NMOS管的關(guān)斷電壓。當(dāng)VGS>O時(shí)，由于絕緣層的存在，在溝道中感應(yīng)出更多的負(fù)電荷，在VDS作用下，將形成更人的漏電流ID。
對(duì)于增強(qiáng)型PMOS管與耗盡型PMOS管的工作原現(xiàn)與N溝道MOS管相類(lèi)似，不同之處在于：它所形成的是P溝道，且增強(qiáng)型PMOS管的閾值電壓為負(fù)值，以便感應(yīng)出正電荷，形成P溝道；耗盡型PMOS管的關(guān)斷電壓為正值。
由以上分析可知，與雙極型晶體管不同，MOS管中參與導(dǎo)電的只有一種電荷，即NMOS管參與導(dǎo)電的是電子，而PMOS管參與導(dǎo)電的是空八。MOS管的工作狀態(tài)根據(jù)漏極電流的變化可大約分為三種情況，即截止區(qū)（ID為o）、線(xiàn)性區(qū)（ID隨VDS幾乎線(xiàn)性變化）、飽和區(qū)(ID與VDS基本無(wú)關(guān)，保持不變)。
NMOS管與PMOS管有很多種代表符號(hào)，但最具典型的符號(hào)如圖1.4所示。圖1·4(a)表示為四端器件，建議在模擬集成電路采用此類(lèi)表示符號(hào)。
在大部分電路中，NMOS管與PMOS管的襯底端一般分別接到地與電源，所以可用三端器件[如圖1.4(b)所示]，即在集成電路中如采用圖1.4(b)所示的符號(hào)，則表示NMOS管與PMOS管的襯底分別默認(rèn)為接地與接電源。
另外，在NMOS路中，也常用如圖1.4(c)所示的開(kāi)關(guān)符號(hào)來(lái)描述。圖1.4(d)所示的符號(hào)為耗盡型NMOS管和PMOS管。
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