無線充mos,47A 600V場效應(yīng)管KCX9860A參數(shù)引腳-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-01-30
KCX9860A是一款高壓MOSFET，使用先進(jìn)的端接方案來提供增強(qiáng)的電壓阻斷能力，而不會隨著時(shí)間的推移而降低性能。此外，這種先進(jìn)的MOSFET設(shè)計(jì)用于在雪崩和換向模式下承受高能量。新的節(jié)能設(shè)計(jì)還提供了一個(gè)具有快速恢復(fù)時(shí)間的漏極到源極二極管。這些設(shè)備專為電源、轉(zhuǎn)換器和PWM電機(jī)控制中的高電壓、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，特別適用于二極管速度和整流安全操作區(qū)域至關(guān)重要的橋式電路，并為防止意外電壓瞬變提供額外的安全裕度。
高壓場效應(yīng)管KCX9860A漏源擊穿電壓600V，漏極電流47A；具有堅(jiān)固的高壓終端、指定雪崩能量、與離散快速恢復(fù)二極管相當(dāng)?shù)脑礃O到漏極恢復(fù)時(shí)間、二極管用于橋式電路、高溫下規(guī)定的IDSS和VDS（ON）、隔離安裝孔減少了安裝硬件等優(yōu)異特性；KCX9860A封裝形式：TO-220F、TO-247。
漏極電流：47A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：141A
雪崩能量單脈沖：720MJ
最大功耗：50/417W
輸入電容：3100PF
輸出電容：2410PF
開通延遲時(shí)間：46nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：138nS
上升時(shí)間：120ns
下降時(shí)間：118ns
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