4n60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)代換,開(kāi)關(guān)電源適配器專(zhuān)用MOS管-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-02-22
KIA4N60H N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET專(zhuān)為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器、螺線(xiàn)管、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器。
KIA4N60H場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓600V,漏極電流4A,RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V;具備低柵極電荷(典型值為13.5nC)最小化開(kāi)關(guān)損耗,高堅(jiān)固性,快速切換能力,指定雪崩能量,改進(jìn)的dv/dt能力,能夠穩(wěn)定可靠地工作,提供更高效的性能。KIA4N60H場(chǎng)效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于LED、開(kāi)關(guān)電源、適配器等領(lǐng)域,具有多種封裝形式:TO-251、252、262、220、220F可供選擇,方便安裝使用。
漏源電壓:600V
柵源電壓:±30A
漏電流連續(xù):4.0A
脈沖漏極電流:16A
雪崩能量:180mJ
耗散功率:93/31/55W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:600V
溫度系數(shù):0.6V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:500PF
輸出電容:45PF
上升時(shí)間:32ns
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022
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