7n65場效應管參數(shù)代換,7n65參數(shù)管腳圖-KIA MOS管

7n65場效應管參數(shù),管腳圖

功率MOSFET采用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產(chǎn)。這項先進的技術經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：7.0A

脈沖漏極電流：28A

雪崩能量：230mJ

耗散功率：147W

漏源擊穿電壓：650V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1000 PF

輸出電容：110 PF

上升時間：50 ns

KIA7N65H是一款高性能場效應管，具有出色的性能和可靠性，漏極電流7A，漏源擊穿電壓高達650V，導通電阻僅為1.2Ω，在10V的柵極電壓下能夠提供穩(wěn)定的性能；能夠替代仙童等品牌7n65型號進行使用。

7n65具有低柵極電荷，高堅固性和快速切換特性，確保了其在工作過程中的穩(wěn)定性和可靠性；經(jīng)過100%的雪崩測試，確保了其質(zhì)量和安全性；改進的dv/dt能力使其更加適用于高頻率的應用領域。封裝形式有TO-220、TO-220F和TO-263，可以滿足不同場合的需求。廣泛應用于開關電源和LED驅(qū)動等領域，為電子設備的穩(wěn)定運行提供了強大的支持。

7n65場效應管參數(shù),代換