NCE4060K,NCE4060參數(shù)代換,KND3504A場效應(yīng)管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-14
漏源電壓（Vdss）：40V
連續(xù)漏極電流（Id）（25°C ）：60A(Tc)
柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻：13mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc)
KND3504A場效應(yīng)管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術(shù)，漏極電流70A，漏源擊穿電壓40V，具有低導(dǎo)通電阻，典型值為7.0mΩ；出色的散熱封裝和低RDS（ON）的高密度電池設(shè)計(jì)，使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)突出；能夠替代新潔能品牌NCE4060K型號進(jìn)行使用，封裝形式：TO-252。
漏源電壓：40V
漏極電流：70A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：7.0mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：270A
雪崩能量單脈沖：110MJ
最大功耗：48W
輸入電容：1760PF
輸出電容：220PF
總柵極電荷：46.5nC
開通延遲時(shí)間：5nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：50nS
上升時(shí)間：22ns
下降時(shí)間：32ns
KND3504A場效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，無論是負(fù)載切換、硬開關(guān)還是高頻電路，它都能勝任。這款場效應(yīng)管尤其適用于不間斷電源等領(lǐng)域，在保證穩(wěn)定供電的同時(shí)，有效降低了功率損耗，提高了整體效率。先進(jìn)的散熱封裝技術(shù)，能夠有效散熱，確保器件在長時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行時(shí)不易受損，極大地提升系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性，為用戶帶來更加可靠的電力保障。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
