?80n120參數(shù),KSZ080N120A中文資料,充電樁MOS管??-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-27
碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù)：28A，1200V；RDS（ON）僅為80mΩ，在VGS為20V，TJ為25°C時達到典型值，具有低導通電阻和高阻斷電壓的特點；在低電容條件下能實現(xiàn)高速開關(guān)；具備強大的雪崩強度，可應(yīng)用于太陽能逆變器、開關(guān)模式電源、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電器等領(lǐng)域。
碳化硅MOS管KSZ080N120A的低導通電阻和高阻斷電壓特性，能夠減小功率損耗，在高壓轉(zhuǎn)換和開關(guān)過程中的響應(yīng)速度快，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率的高速開關(guān)，可以有效提高電路的效率和性能，使得電源系統(tǒng)在工作過程中更加穩(wěn)定可靠。
漏源電壓：1200V
漏極電流：28A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：80mΩ
柵源電壓：-5/+20V
脈沖漏電流：60A
雪崩能量單脈沖：720MJ
最大功耗：166W
輸入電容：2025PF
輸出電容：71.9PF
總柵極電荷：86nC
開通延遲時間：22nS
關(guān)斷延遲時間：18nS
上升時間：62ns
下降時間：12ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
