?5610場(chǎng)效應(yīng)管,5610參數(shù)管腳圖,KNX5610A中文資料-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-03-28
KNX5610A是最高性能的溝道N溝道MOSFETS，具有極高的單元密度，為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。KNX5610A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。
KNX5610A場(chǎng)效應(yīng)管采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性；超低柵極電荷，減小開(kāi)關(guān)損耗；出色的Cdv/dt效應(yīng)設(shè)計(jì)，可靠性高，在各種工作條件下都能穩(wěn)定地工作；適用于高頻負(fù)載點(diǎn)同步降壓變換器、DC-DC電力系統(tǒng)聯(lián)網(wǎng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景，是電子器件領(lǐng)域中的一款高性能元件。
漏源電壓：100V
漏極電流：7A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：98mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：14A
最大功耗：22.7W
輸入電容：1535PF
輸出電容：60PF
總柵極電荷：26.2nC
開(kāi)通延遲時(shí)間：4.2nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：35.6nS
上升時(shí)間：8.2ns
下降時(shí)間：9.6ns
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