1n60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),1n60參數(shù)引腳圖,1n60中文資料-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-03-29
KIA1N60H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的，在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器、螺線管、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及繼電器驅(qū)動(dòng)器中，這款MOSFET都能發(fā)揮出色的性能。
1n60具有1A的電流承受能力和高達(dá)600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時(shí)的開(kāi)態(tài)電阻僅為9.3Ω，確保穩(wěn)定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC，在控制電荷時(shí)更加高效、還具備高堅(jiān)固性、快速切換能力、指定雪崩能量和改進(jìn)的dv/dt能力，能夠保證設(shè)備在高負(fù)荷下運(yùn)行時(shí)仍保持穩(wěn)定性和可靠性。
漏源電壓：600V
漏極電流：1A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：9.3Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：4.0A
雪崩能量單脈沖：33MJ
最大功耗：28W
輸入電容：120PF
輸出電容：20PF
總柵極電荷：4.8nC
開(kāi)通延遲時(shí)間：7nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：13nS
上升時(shí)間：21ns
下降時(shí)間：27ns
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