4665參數(shù),4665場(chǎng)效應(yīng)管,KNX4665B中文資料-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-04-11
KNX4665B場(chǎng)效應(yīng)管具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn),漏源擊穿電壓高達(dá)650V,漏極電流7A,能夠承受較大的電壓壓力、良好的導(dǎo)電性能,RDS(ON)的典型值為1.1Ω,在VGS=10V時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)較低的導(dǎo)通電阻,具有較高的工作效率,還能夠?qū)崿F(xiàn)低柵極電荷最小化,有效降低開(kāi)關(guān)損耗,提升整體性能。
KNX4665B場(chǎng)效應(yīng)管符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)、還配備了快速恢復(fù)體二極管,可以有效減少反向恢復(fù)時(shí)間,提高開(kāi)關(guān)速度,降低損耗,特別適用于需要頻繁開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合,如開(kāi)關(guān)電源和LED驅(qū)動(dòng),為電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供可靠保障。KNX4665B場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式:TO-252、TO-220F。
漏源電壓:650V
漏極電流:7A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):1.1Ω
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:28A
雪崩能量單脈沖:400MJ
最大功耗:75/42W
輸入電容:1048PF
輸出電容:98PF
總柵極電荷:24nC
開(kāi)通延遲時(shí)間:12nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:34nS
上升時(shí)間:12ns
下降時(shí)間:14ns
KNX4665B溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET專(zhuān)為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如高效開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器等。
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