P60v MOS管,60V PMOS管,TO-252低壓MOS管場(chǎng)效應(yīng)管-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-04-15
RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V
漏極電流 (ID) ：-30A
漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-60V
功耗 (PDM) ：57W
柵極電荷（Qg）：40 nC
RDS(ON)=11.6mΩ (typ.) @ VGS=-10V
漏極電流 (ID) ：-60A
漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-60V
功耗 (PDM) ：90W
柵極電荷（Qg）：86 nC
封裝形式：TO-252
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