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場效應(yīng)管6035參數(shù),大功率350V,開關(guān)電源MOS管KIA6035A-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-04-19 

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場效應(yīng)管6035參數(shù),大功率350V,開關(guān)電源MOS管KIA6035A-KIA MOS管


場效應(yīng)管6035參數(shù),KIA6035A

KIA6035A功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制,可最大限度地減少導(dǎo)通電阻,提供卓越的開關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開關(guān)模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。


KIA6035A場效應(yīng)管的漏源擊穿電壓高達350V,漏極電流可達11A,適用于各種高壓應(yīng)用場合,RDS(ON)僅為0.38Ω,在10V的VGS下表現(xiàn)出色、低柵極電荷,僅為15nC,有助于提高開關(guān)速度和效率、高堅固性和快速切換能力,能夠在各種惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作、還具有指定的雪崩能量和改進的dv/dt能力,確保在高壓和高頻率下依然可靠穩(wěn)定,為電路設(shè)計提供穩(wěn)定可靠的支持。KIA6035A封裝形式:TO-252、TO-220。

場效應(yīng)管6035參數(shù),KIA6035A

場效應(yīng)管6035參數(shù),KIA6035A參數(shù)

漏源電壓:350V

漏極電流:11A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):0.38Ω

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:36A

雪崩能量單脈沖:423MJ

最大功耗:99W

輸入電容:844PF

輸出電容:162PF

總柵極電荷:15nC

開通延遲時間:25nS

關(guān)斷延遲時間:77nS

上升時間:23.5ns

下降時間:47.5ns


場效應(yīng)管6035參數(shù),KIA6035A規(guī)格書

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