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led調(diào)光器,調(diào)光專用MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2024-06-17 

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調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

調(diào)光專用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A,RDS(開)=14.5mΩ(典型值)@VGS=10V;具有超低柵極電荷,出色的Cdv/dt效應(yīng)下降,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,最小化開關(guān)損耗等特性,滿足RoHs和綠色產(chǎn)品的要求,確保led調(diào)光器的性能穩(wěn)定可靠。


KIA4603A是高單元密度溝槽式N溝MOSFET,可提供出色的RDSON以及用于大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵極電荷,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,封裝形式:SOP-8,體積小,散熱良好,使用方便。

調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管

調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:30V

漏極電流:7A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):14.5mΩ

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:35A

雪崩能量單脈沖:20MJ

總功耗:1.5W

總柵極電荷:6nC

輸入電容:583PF

輸出電容:77PF

開通延遲時(shí)間:1.2nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:18nS

上升時(shí)間:40ns

下降時(shí)間:7.2ns


調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書

調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管

調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管


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