電源適配器mos管,KNX6140S場效應管參數(shù)原廠現(xiàn)貨-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-06-18
電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,RDS(開啟)典型值=0.53Ω@VGS=10V,較低的導通電阻,可最大限度地減少導通損耗,具有超低柵極電荷,出色的改進的dvdt功能,以及高堅固性、快速切換等特性,100%雪崩測試,確保性能穩(wěn)定可靠。
KNX6140S專為高壓、高速功率開關應用而設計,如開關穩(wěn)壓器、開關轉(zhuǎn)換器、螺線管、電機驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器等。封裝形式:TO-220F/TO-220,散熱良好,安裝方便。
漏源電壓:400V
漏極電流:11A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):0.53Ω
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:44A
雪崩能量單脈沖:365MJ
總功耗:40.2/194.5W
總柵極電荷:15.7nC
輸入電容:980PF
輸出電容:140PF
開通延遲時間:33.5nS
關斷延遲時間:83nS
上升時間:31.5ns
下降時間:56ns
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