無線充MOS管,ncep15t14參數(shù)代換,2915場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-24
無線充專用MOS管KNB2915A采用先進的溝槽技術，漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有極低導通電阻RDS（on）和優(yōu)秀的Qg x RDS（ON）產(chǎn)品（FOM），符合JEDEC標準，能夠匹配ncep15t14參數(shù)代換使用，KNB2915A封裝形式：TO-263，在電機控制和驅動、電池管理、UPS（不間斷電源）都能展現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
漏源電壓：150V
漏極電流：130A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：10mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：500A
雪崩能量單脈沖：272MJ
總功耗：428W
總柵極電荷：70nC
輸入電容：3560PF
輸出電容：330PF
開通延遲時間：18nS
關斷延遲時間：35nS
上升時間：92ns
下降時間：70ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
