nce30p30k,30A 30V場效應(yīng)管,KIA30N03B參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-07-11
KIA30N03B采用先進的高單元密度溝槽技術(shù),性能出色,漏源擊穿電壓30V,漏極電流30A,超低柵極電荷RDS(開啟)=15mΩ@VDS=30V,減小損耗;具有出色的Cdv/dt效應(yīng)下降、100%EAS保證、綠色設(shè)備可用,可靠穩(wěn)定;廣泛應(yīng)用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC-DC電源系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)中,封裝形式:TO-251、TO-252。KIA30N03B可以代換新潔能nce30p30k。
漏源電壓:30V
漏極電流:30A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):15mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:60A
雪崩能量單脈沖:72MJ
總功耗:25W
輸入電容:572PF
輸出電容:81PF
總柵極電荷:7.2nC
開通延遲時間:4.1nS
關(guān)斷延遲時間:15.5nS
上升時間:9.8ns
下降時間:6.0ns
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
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