25n06場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)代換,60V 25A,KIA30N06B參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-07-18
KIA30N06B場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓60V,漏極電流25A,RDS(開(kāi)啟)=25mΩ@VDS=60V,具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)下降以及100%EAS保證、綠色設(shè)備可用,穩(wěn)定可靠,能夠在各種應(yīng)用場(chǎng)景下發(fā)揮穩(wěn)定的作用;KIA30N06B能夠代換25n06場(chǎng)效應(yīng)管,在高頻負(fù)載點(diǎn)同步降壓變換器、聯(lián)網(wǎng)DC-DC電源系統(tǒng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)中應(yīng)用,封裝形式:TO-251、TO-252。
漏源電壓:60V
漏極電流:25A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):25mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:50A
雪崩能量單脈沖:34.5MJ
總功耗:34.7W
總柵極電荷:12.56nC
輸入電容:1345PF
輸出電容:72.5PF
開(kāi)通延遲時(shí)間:8nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:24.4nS
上升時(shí)間:14.2ns
下降時(shí)間:4.6ns
KIA30N06B是一款高性能的N溝道MOSFET,具有極高的單元密度,為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了出色的RDSON和柵極電荷。KIA30N06B符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性獲得批準(zhǔn)。
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