12n10場效應(yīng)管參數(shù)代換,防盜器專用mos管KIA6110A資料-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-08-01
KIA6110A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),是性能出色的N溝道MOSFET,能夠代換12n10參數(shù)100V,15A場效應(yīng)管在防盜器、LED驅(qū)動(dòng)、DC-DC電源、負(fù)載開關(guān)中應(yīng)用;KIA6110A漏源擊穿電壓100V,漏極電流12A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10v,提供出色的RDSON和柵極電荷,具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)設(shè)計(jì)等特性,穩(wěn)定可靠;封裝形式:TO-252、251,散熱良好;符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性獲得批準(zhǔn)。
漏源電壓:100V
漏極電流:12A
漏源通態(tài)電阻:90mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏極電流:24A
雪崩電流:11A
雪崩能量:7.3mJ
耗散功率:34.7W
柵極閾值電壓:1.0V
總柵極電荷:26.2nC
輸入電容:1535 PF
輸出電容:60 PF
上升時(shí)間:8.2 ns
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