mbr20150參數(shù)代換,20A 150V場效應管,KIA7115A中文資料-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-08-08
KIA7115A場效應管漏源擊穿電壓150V,漏極電流20A,RDS(開啟)=77mΩ@VGS=10V,超低柵極電荷,降低開關損耗,可為大多數(shù)同步降壓轉換器應用提供出色的RDS和柵極電荷,出色的Cdv/dt效應下降、綠色設備可用,符合RoHs,100%EAS保證,穩(wěn)定可靠,封裝形式:TO-252、251,散熱良好。
漏源電壓:150V
漏極電流:20A
漏源通態(tài)電阻:77mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:40A
雪崩能量單脈沖:53MJ
功率耗散:72.6W
總柵極電荷:25.1nC
輸入電容:2285PF
輸出電容:110PF
開通延遲時間:13nS
關斷延遲時間:25nS
上升時間:8.2ns
下降時間:11ns
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權,請聯(lián)系刪除。