?10n65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),KIA10N65H參數(shù)引腳圖,中文資料-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-09-04
KIA10N65H場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V,漏極電流10A,RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V,低導(dǎo)通電阻,低柵極電荷(典型48nC),有效降低開(kāi)關(guān)損耗,提升效率;具有快速交換功能、指定的雪崩能量以及改進(jìn)的DV/DT功能,穩(wěn)定可靠,提高開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度,可以替代10n65型號(hào)應(yīng)用在高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,如高效開(kāi)關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能電源;封裝形式:TO-220F。
漏源電壓:650V
漏極電流:10A
漏源通態(tài)電阻:0.65Ω
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:40A
雪崩能量單脈沖:709MJ
功率耗散:52W
總柵極電荷:48nC
輸入電容:1650PF
輸出電容:1665PF
開(kāi)通延遲時(shí)間:25nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:140nS
上升時(shí)間:70ns
下降時(shí)間:80ns
聯(lián)系方式:鄒先生
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