5N60現(xiàn)貨供應(yīng)商 5N60參數(shù)中文資料 5N60參數(shù)配置對(duì)比
信息來源:本站 日期:2018-01-13
N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用起亞的。有平面的DMOS工藝。這種先進(jìn)技術(shù)特別適合于最小化。在狀態(tài)電阻方面,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并能承受高能量脈沖。雪崩換相模式。這些器件非常適合于高效率的開關(guān)模式電源。基于半橋的電源和電子鎮(zhèn)流器。
特征
4.5A,600V,RDS(ON)= 2Ω@ VGS = 10v
低反饋電容(典型值8.0pf)
低柵極電荷(典型值高= 16nc)
快速切換
100%雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dt/dt能力
符合RoHS
參數(shù)
產(chǎn)品編號(hào):KIA 5N60
系列名稱:MOSFET
溝道:N溝道
耗散功率(pd):100
漏源反向電壓(Vds):600
柵源反向電壓(Vgs):30
漏極電流(連續(xù))(id):5
最高結(jié)溫(Tj),℃:150
上升時(shí)間(tr):42
輸出電容(Cd),PF:55
通態(tài)電阻(Rds),ohm:1.8
封裝形式:TO-220、TO-220F等
4N60 |
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描述 |
5.0A 600V N-CHANNEL .MOSFET |
適用范圍 |
開關(guān)電源、逆變器等 |
PDF文件
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LOGO |
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廠家 |
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網(wǎng)址 |
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PDF頁(yè)數(shù) |
總7頁(yè) |
聯(lián)系方式:鄒先生(KIA MOS管)
手機(jī):18123972950
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