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13N50現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA13N50 PDF 13N50參數(shù)詳細(xì)資料-KIA 官網(wǎng)

信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-19 

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13N50產(chǎn)品描述

KIA13N50 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。

2、KIA13N50參數(shù)

產(chǎn)品編號(hào):KIA13N50

漏極至源極電壓(VDSS):500V

柵源電壓(VGSS):±30V

漏極電流 (連續(xù))(lD):13A

耗散功率(PD):195W

工作溫度:±150℃

擊穿電壓溫度:0.5/℃

輸入電容:VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升時(shí)間:VDD=250V,ID=13A,RG=25Ω


3、KIA13N50特征

RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的45nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力


4、KIA13N50產(chǎn)品規(guī)格


13N50(13A 500V)
產(chǎn)品編號(hào) KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH
溝道 MOSFET N溝道
封裝形式 TO-220、TO220F、TO-263
產(chǎn)品工藝

13N50 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器

產(chǎn)品特征

RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的45nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
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網(wǎng)址 www.bphengjia.com
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13N50

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