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IRF730現(xiàn)貨供應(yīng)商 IRF730技術(shù)參數(shù)信息 IRF730中文資料 KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-22 

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IRF730產(chǎn)品參數(shù)

IRF730屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF730為設(shè)計(jì)者提供了轉(zhuǎn)換快速、堅(jiān)固耐用、低導(dǎo)通阻抗和高效益的強(qiáng)力組合。

TO-220封裝的IRF730普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF730得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。SMD-220封裝的IRF730適用于貼片安裝,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,導(dǎo)通阻抗最低。IRF730的SMD-220封裝可適應(yīng)高強(qiáng)度電流的應(yīng)用。

2、特征
動(dòng)態(tài)dv/dt率

可恢復(fù)性雪崩測(cè)定

快速轉(zhuǎn)換速率

并行簡(jiǎn)易

僅需簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)

無鉛環(huán)保

3、IRF730產(chǎn)品參數(shù)

連續(xù)漏電流、電壓:5.5a

連續(xù)漏電流、電壓:3.5a

漏電流脈沖:22a

功耗:74w

線性降額因數(shù):0.6 / w°C

源電壓:±30

二極管恢復(fù):4.6v/ns

工作溫度:-55 + 150tstg

存儲(chǔ)溫度范圍

焊接溫度,10 seconds300(1.6mm案例)°C

封裝形式:TO-220, TO-263, TO-262

4、MOSFET選型指標(biāo)

PartNumbe

VDss(V)

ID(A)

Max RDS(ON)

@60%ID(Ω)

Typical RDS(ON)

@60%ID(Ω)

IRF840

500

8

0.85

63

IRF7811

30

14

14

17

IRF530

100

14

0.16

26

IRF530

100

17

90

24.7

IRF634

250

8.1

0.45

54

IRF7413

30

13

11

44

IRF3710

100

57

23

86.7

IRf1404

40

162

4

160


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

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730

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