4N65H現(xiàn)貨供應商 KIA4N65H PDF文件 4N65H參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-23
開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲。
特征：
RDS(on) =2.5?@ VGS=10V
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
參數(shù)：
產(chǎn)品型號：KIA4N65H
極性：N溝道MOSFET
漏源電壓(vdss):650V
柵源電壓（vgss)：±30V
連續(xù)漏電流：（ld）：3.0A
脈沖漏極電流：12A
雪崩電流：210mJ
雪崩能量：5.8mJ
耗散功率（pd）：58W
熱電阻：110℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數(shù)：0.65V/℃
柵極閾值電壓（min）：100nA
 |
4N65H（4A 650V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA4N65/H/HD/HF/HU |
| FET極性 | N溝道 |
| 產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優(yōu)越的。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS(on) =2.5??@ V GS =10V 低柵極電荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲。 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.bphengjia.com |
| PDF總頁數(shù) | 總5頁數(shù) |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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