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40N06現(xiàn)貨供應商 KIA40N06 PDF文件下載 40N06參數(shù)資料-KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-25 

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KIA40N06參數(shù)

kia40n06b最高性能的溝道MOSFET與極端高細胞密度,為大多數(shù)的同步降壓轉換器,優(yōu)良的導通電阻和柵極電荷應用,kia40n06b符合ROHS環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求,保證100% EAS全功能可靠性認證。


特點:

RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V

先進的高密度溝槽技術

超級Low Gate Charge

優(yōu)良的CDV / dt效應遞減

100% EAS保證

綠色的可用設備


應用:

MB /鈮/VGA負載同步Buck變換器高頻點

網(wǎng)絡化DC-DC電源系統(tǒng)

液晶/ LED背光燈


產(chǎn)品型號:KIA40N06

工作方式:38A、60V

漏流電壓:60V

柵源電壓(連續(xù)):±20V

連續(xù)漏電流:38A

脈沖漏極電流:80A

雪崩能量:28A

熱電阻:62℃/W

漏源擊穿電壓:60V

溫度系數(shù):0.057

柵極閾值電壓:1.2V

輸入電容:2423 PF

輸出電容:145 PF

上升時間:2.2 ns

封裝形式:TO-251、TO-252



KIA 40N06(38A 60V)
產(chǎn)品編號 KIA40N06BD/BU
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 kia40n06b最高性能的溝道MOSFET與極端高細胞密度,為大多數(shù)的同步降壓轉換器,優(yōu)良的導通電阻和柵極電荷應用,kia40n06b符合ROHS環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求,保證100% EAS全功能可靠性認證。
產(chǎn)品特征

RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V

先進的高密度溝槽技術

超級Low Gate Charge

優(yōu)良的CDV / dt效應遞減

100% EAS保證

綠色的可用設備

適用范圍

主要使用于MB /鈮/VGA負載同步Buck變換器高頻點

網(wǎng)絡化DC-DC電源系統(tǒng)

液晶/ LED背光燈

裝形式 TO-251、TO-252
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LOGO
廠家 KIA 原廠家
網(wǎng)址 www.kiaic.com
PDF總頁數(shù) 總5頁

聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

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