9N90現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA9N90 PDF文件9N90 9A/900 參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-28
N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是使用半導(dǎo)體專有的，平面條形DMOS技術(shù)，這種先進(jìn)的技術(shù)已特別量身定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。這些設(shè)備非常適合高效率。開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正，半橋式電子鎮(zhèn)流器拓?fù)?/span>。
特點(diǎn)
9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V
低柵電荷（典型的70數(shù)控）
Low Crss（典型的14pf）
快速切換
100%雪崩測試
改進(jìn)的dt／dt能力
符合RoHS
產(chǎn)品型號：KIA9N90
工作方式：9A/900V
漏源電壓：900V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：9.0A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：280W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：900V
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2780 PF
輸出電容：228 PF
上升時(shí)間：130 ns
封裝形式：TO-3P、TO-247
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KIA9N90（9A/900V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA9N90/HF/Hm/SF |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是使用半導(dǎo)體專有的，平面條形DMOS技術(shù)，這種先進(jìn)的技術(shù)已特別量身定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。 |
| 產(chǎn)品特性 |
9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V 低柵電荷（典型的70數(shù)控） Low Crss（典型的14pf） 快速切換 100%雪崩測試 改進(jìn)的dt／dt能力 符合RoHS |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率。開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正，半橋式電子鎮(zhèn)流器拓?fù)?/strong> |
| 封裝形式 |
TO-3P、TO-247 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.bphengjia.com |
| PDF頁數(shù) | 總7頁 |
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手機(jī)：18123972950
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