7N80現(xiàn)貨供應商 KIA7N80 7A/800V KIA7N80 PDF文件下載 -KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-01-30
KIA7N80參數
功率MOSFET采用SL半平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。
開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。器件非常適合高效率開關模式電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲。
KIA7N80特征
RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的27nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA7N80
工作方式：7A/800V
漏源電壓：800V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：7.0A
脈沖漏極電流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：167W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：800V
溫度系數：1V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：1300 PF
輸出電容：120 PF
上升時間：100 ns
封裝形式：TO-220、TO-220F
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KIA7N80（7A/800V） |
| 產品編號 | KIA7N80/HF |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET采用SL半平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 |
| 產品特征 |
RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的27nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率開關模式電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲 |
| 封裝形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.bphengjia.com |
| PDF頁總數 | 總6頁 |
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