24N50現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA24N50 24A/500V KIA24N50 PDF文件-KIA 官網(wǎng)
信息來源:本站 日期:2018-02-01
KIA10N65特征
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V
低柵極電荷(典型的90nc)
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進(jìn)的dt/dt能力
產(chǎn)品型號(hào):KIA24N50
工作方式:24A/500V
漏源電壓:500V
柵源電壓:±30V
漏電流連續(xù):24A
脈沖漏極電流:96A
雪崩能量:1150mJ
耗散功率:290W
熱電阻:40℃/W
漏源擊穿電壓:500V
溫度系數(shù):0.5V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:3500 PF
輸出電容:520 PF
上升時(shí)間:35 ns
封裝形式:TO-3P
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KIA24N50(24A 500V) |
產(chǎn)品編號(hào) | KIA24N50/HH |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖 |
產(chǎn)品特征 |
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V 低柵極電荷(典型的90nc) 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
主要適合于高效率開關(guān)電源,基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正 |
封裝形式 | TO-3P |
PDF文件 |
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LOGO |
|
廠家 | KIA原廠家 |
網(wǎng)址 | www.bphengjia.com |
PDF總頁數(shù) | 總5頁 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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