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4N65現貨供應商 KIA4N65 4A/600V PDF下載 4N65參數資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-02-02 

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KIA4N65參數

這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。器件主要適用于高效率開關電源,有源功率因數校正。基于半橋拓撲。


KIA4N65特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力


產品型號:KIA4N65

工作方式:4A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):3.0A

脈沖漏極電流:12A

雪崩能量:210mJ

耗散功率:58W

熱電阻:110℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數:0.65V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:560 PF

輸出電容:55 PF

上升時間:40 ns

封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F


KIA4N65(4A 650V
產品編號 KIA4N65/HF
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖
產品特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力

適用范圍 器件主要適用于高效率開關電源,有源功率因數校正?;诎霕蛲負?。
封裝形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網址 www.bphengjia.com
PDF總頁數 總6

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聯系電話:0755-83888366-8022

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