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18N50現(xiàn)貨供應商 KIA18N50 18A/500V KIA18N50 PDF下載 -KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-02 

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KIA18N50參數(shù)

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。


KIA18N50特征

RDS(on) =0.25? @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力


產(chǎn)品型號:KIA18N50

工作方式:18A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):18.0*A

脈沖漏極電流:72A

雪崩能量:990mJ

耗散功率:38.2W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:500V

溫度系數(shù):0.6V/℃

柵極閾值電壓:3.0V

輸入電容:2500 PF

輸出電容:400 PF

上升時間:190 ns

封裝形式:TO-220F、TO-247



KIA18N50(18A 500V
產(chǎn)品編號 KIA18N50/HF
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖
產(chǎn)品特征

RDS(on) =0.25? @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力

適用范圍 產(chǎn)品主要適用于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正?;诎霕蛲負?。
封裝形式 TO-220F、TO-247
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 www.kiaic.com
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聯(lián)系方式:鄒先生

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