3650現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA3650 60A/500V PDF文件 3650參數(shù)詳細(xì)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-07
高電壓MOSFET采用先進(jìn)的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進(jìn)的MOSFET設(shè)計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節(jié)能設(shè)計還提供了一個快速恢復(fù)時間二極管源漏。高電壓設(shè)計，高速開關(guān)電源，轉(zhuǎn)換器和PWM電機控制中的應(yīng)用程序，這些設(shè)備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
KCM3650特征
強大的高壓終止
雪崩能量
源漏二極管恢復(fù)時間相當(dāng)于分立快恢復(fù)二極管
二極管的特點是用于橋式電路
IDSS和VDS（上）指定高溫
隔離安裝孔減少安裝硬件
KCM3650參數(shù)指標(biāo)
產(chǎn)品型號：KIA3650
工作方式：60A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：60A
脈沖漏極電流：180A
雪崩能量：1280mJ
耗散功率：54W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：3180 PF
輸出電容:4400 PF
上升時間：52 ns
封裝形式：TO-220F、TO-247
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KCM3650（60A 500V） |
| 產(chǎn)品編號 | KCM3650A |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
高電壓MOSFET采用先進(jìn)的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進(jìn)的MOSFET設(shè)計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節(jié)能設(shè)計還提供了一個快速恢復(fù)時間二極管源漏。高電壓設(shè)計，高速開關(guān)電源，轉(zhuǎn)換器和PWM電機控制中的應(yīng)用程序。 |
| 產(chǎn)品特征 |
強大的高壓終止 雪崩能量 源漏二極管恢復(fù)時間相當(dāng)于分立快恢復(fù)二極管 二極管的特點是用于橋式電路 IDSS和VDS（上）指定高溫 隔離安裝孔減少安裝硬件 |
| 適用范圍 |
主要適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。 |
| 封裝形式 | TO-220F、TO-247 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.bphengjia.com |
| PDF頁總數(shù) | 總5頁 |
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