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KIA18N20 N溝道 MOSFET 18A /200V TO-220、TO-220F封裝最新規(guī)格

信息來源:本站 日期:2018-02-08 

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KIA18N20參數(shù)指標

RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V

通過無鉛認證

低電阻

低柵極電荷

峰值電流與脈寬曲線

應用

電視/顯示器

其他應用


KIA18N20參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA18N20

工作方式:18A/200V

漏源電壓:200V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):18A

脈沖漏極電流:6A

雪崩電流:8A

雪崩能量:950mJ

耗散功率:156W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:200V

溫度系數(shù):0.25V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1140PF

輸出電容:80PF

上升時間:33 ns

封裝形式:TO-220、TO-220F



KIA18N20/AF/AP
產(chǎn)品編 KIA18N20(18A200V)
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品特征

RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V

通過無鉛認證

低電阻

低柵極電荷

峰值電流與脈寬曲線

適用范圍

主要適用于電視/顯示器、其他應用

封裝形式 TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 www.bphengjia.com
PDF頁總數(shù) 總6頁


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