4820現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA4820 PDF文件 4820參數(shù)詳細(xì)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源：本站 日期：2018-02-27
KIA4820增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET的高電壓設(shè)計(jì)，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
2、特征
專(zhuān)有的新平面技術(shù)
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門(mén)電荷減少開(kāi)關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
3、參數(shù)指標(biāo)
產(chǎn)品型號(hào)：KIA4820
工作方式：9A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：9A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：300m
耗散功率：83W
熱電阻：75℃/W
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：1.0V
輸入電容：418 PF
輸出電容：94 PF
上升時(shí)間：6.0 ns
封裝形式：TO-220、TO-252
 |
KIA4820 |
| 產(chǎn)品編號(hào) | KIA4820（9A 200V） |
| 產(chǎn)品工藝 |
KIA4820b增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET的高電壓設(shè)計(jì)，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器 |
| 產(chǎn)品特征 |
專(zhuān)有的新平面技術(shù) RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低門(mén)電荷減少開(kāi)關(guān)損耗 快速恢復(fù)體二極管 |
| 適用范圍 |
主要適用于高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器 |
| 封裝形式 | TO-220、TO-252 |
| PDF文件 |
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| 廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
| 網(wǎng)址 | www.bphengjia.com |
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