MOS管構(gòu)成的存儲(chǔ)矩陣-ROM與RAM重點(diǎn)分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-02-28
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大量二值信息的半導(dǎo)體器件。按存儲(chǔ)功能可分為只讀存儲(chǔ)器(ROM)和隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）
只讀存儲(chǔ)器按寫(xiě)入方式一般分為三種：固定內(nèi)容ROM、可編程ROM和可擦除型的EPROM
ROM的基本結(jié)構(gòu)如圖所示
地址譯碼器相當(dāng)于最小項(xiàng)譯碼器。而存儲(chǔ)單元是由N溝道增強(qiáng)型MOS管構(gòu)成的，可以理解為有MOS管存在，則其單元內(nèi)存儲(chǔ)的信息為1。
地址譯碼器相當(dāng)于“與邏輯矩陣”，ROM 存儲(chǔ)矩陣相當(dāng)于“或邏輯矩陣”，整個(gè)存儲(chǔ)器是一個(gè)“與或”矩陣。一般情況下，“與矩陣”是不可編程，而“或矩陣”是可編程的。
若ROM有n條地址線(xiàn)，m條位線(xiàn)，則ROM矩陣的存儲(chǔ)容量等于2n×m。
簡(jiǎn)單了解掩模ROM、PROM、EPROM、E2PROM和快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的功能，不做重點(diǎn)。
EEPROM典型芯片2864A的芯片引腳如圖所示
A0～A12為地址譯碼輸入端，I/O0~I/O7為8位數(shù)據(jù)輸入輸出端，CE為片選端，為寫(xiě)使能端，為讀使能端。2864A共有213條字線(xiàn)，8條位線(xiàn)，其 存儲(chǔ)容量為213×8bit(8K byte)。
EEPROM 2864的工作方式如圖所示
此外Flash Memory芯片的引腳圖和工作方式也要理解掌握。
RAM按工作原理分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM。
1、ROM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
ROM的基本結(jié)構(gòu)和工作方式如圖所示
SRAM和DRAM的結(jié)構(gòu)和功能對(duì)比
SRAM:以觸發(fā)器為基本存儲(chǔ)單元，所以只要不掉電，其所存信息就不會(huì)丟失。該類(lèi)芯片的集成度不如DRAM， 功耗也比DRAM高，但它的速度比DRAM快，也不需要刷新電路。一般用于構(gòu)成高速緩沖存儲(chǔ)器 。
DRAM:一般用MOS型動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元構(gòu)成，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，集成度高。但是，如果不及時(shí)進(jìn)行刷新，極間電容中的電 荷會(huì)在很短時(shí)間內(nèi)自然泄漏，致使信息丟失。所以，必須為它配備專(zhuān)門(mén)的刷新電路。
2、DRAM的刷新方式有三種，了解就好，不做重點(diǎn)。
61LV25616芯片的引腳圖和功能表如圖所示
地址線(xiàn)為18根A0～A17，I/O0～I(xiàn)/O15為16位寫(xiě)入/讀出數(shù)據(jù)線(xiàn)，其容量為218×16 bit=256k×16 bit
1、 位數(shù)的擴(kuò)展
適用于每片RAM或ROM字?jǐn)?shù)夠用而位數(shù)不夠時(shí)。
接法：將各片對(duì)應(yīng)的地址線(xiàn)、片選端、讀寫(xiě)控制端分別接在一起，各片的數(shù)據(jù)輸出端并行使用即可。
例：用2片2114(1024×4bit)RAM構(gòu)成1024×8bit的RAM
2、數(shù)夠用而字?jǐn)?shù)不夠時(shí)
接法：將各片對(duì)應(yīng)的地址線(xiàn)、讀寫(xiě)控制端和數(shù)據(jù)輸出端分別接在一起，各片的片選信號(hào)由附加地址位譯出。
例: 用2片2114(1024×4bit)RAM構(gòu)成2048×4bit的RAM
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