1N60H mos管現貨 KIA1N60H 1A/600V PDF文件下載-KIA mos管
信息來源:本站 日期:2018-03-24
KIA1N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高電壓,高速功率開關應用,如開關穩(wěn)壓器,開關轉換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序。
1A, 600V, RDS(on) = 9.3? @VGS = 10V
低柵極電荷(典型的5.0nc)
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt/dt能力
產品型號:KIA1N60H
工作方式:1A/600V
漏源電壓:600V
柵源電壓:±30A
漏電流連續(xù):1.0A
脈沖漏極電流:4.0A
雪崩電流:2.8A
雪崩能量:33mJ
耗散功率:28W
熱電阻:50℃/V
漏源擊穿電壓:600V
溫度系數:6.6V/℃
柵極閾值電壓:2.2V
輸入電容:120PF
輸出電容:20PF
上升時間:21ns
封裝形式:TO-92、251、252
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KIA1N60H |
產品編號 |
KIA1N60H 1A/600V |
產品特征 |
1A, 600V, R DS(on) = 9.3? @VGS = 10V 低柵極電荷(典型的5.0nc) 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt/dt能力 |
適用范圍 |
適用于高速功率開關應用,如開關穩(wěn)壓器,開關,轉換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序。 |
封裝形式 |
TO-92、251、252 |
PDF文件 |
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LOGO |
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廠家 |
KIA(可易亞) |
網址 |
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PDF總頁數 |
總3頁 |
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