永久免费不卡在线观看黄网站,人妻内射一区二区在线视频,日本三级欧美三级人妇视频,色135综合网

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

?教你如何正確選擇MOS管產品-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2016-10-20 

分享到:

可易亞教你正確選擇MOS管重要的一個環(huán)節(jié),MOS管選擇不好就可能影響到整個電路的功率使用,會造成雪崩等原因,了解不同的MOS管部件的細微差別及不同開關電路中的參數(shù),我們能夠幫助工程師避免諸多問題,下面我們來學習下MOS管的正確的選擇方法。


第一步:選用P溝道還是N溝道

可易亞半導體為企業(yè)選用正確元器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中,當一個MOS管接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOS管,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管,這也是出于對電壓驅動的考慮。

要選擇合適的應用元器件,必須確定驅動器件所需的電壓,以及在設計中最簡易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據(jù)實踐經驗,額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應用為450~600V。


第二步:確定額定電流

選擇MOS管的額定電流。視電路結構而定,該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,設計人員必須確保所選的MOS管能承受這個額定電流,即使在系統(tǒng)產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

選好額定電流后,還必須計算導通損耗。在實際情況下,MOS管并不是理想的器件,因為在導電過程中會有電能損耗,這稱之為導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,由于導通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越??;反之RDS(ON)就會越高。對系統(tǒng)設計人員來說,這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權衡的地方。對便攜式設計來說,采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對于工業(yè)設計,可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術資料表中查到。

技術對器件的特性有著重大影響,因為有些技術在提高最大VDS時往往會使RDS(ON)增大。對于這樣的技術,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發(fā)成本。業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術,其中最主要的是溝道和電荷平衡技術。

在溝道技術中,晶片中嵌入了一個深溝,通常是為低電壓預留的,用于降低導通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDS對RDS(ON)的影響,開發(fā)過程中采用了外延生長柱/蝕刻柱工藝。例如,飛兆半導體開發(fā)了稱為SupeRFET的技術,針對RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。這種對RDS(ON)的關注十分重要,因為當標準MOSFET的擊穿電壓升高時,RDS(ON)會隨之呈指數(shù)級增加,并且導致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數(shù)關系變成了線性關系。這樣,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在擊穿電壓達到600V的情況下,實現(xiàn)理想的低RDS(ON)。結果是晶片尺寸可減小達35%。而對于最終用戶來說,這意味著封裝尺寸的大幅減小。


第三步:確定散熱要求

選擇MOS管的下一步是計算系統(tǒng)的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果,因為這個結果提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù);比如封裝器件的半導體結與環(huán)境之間的熱阻,以及最大的結溫。

元器件的結溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據(jù)這個方程可解出系統(tǒng)的最大功率耗散,即按定義相等于I2×RDS(ON)。由于設計人員已確定將要通過器件的最大電流,因此可以計算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是,在處理簡單熱模型時,設計人員還必須考慮半導體結/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量;即要求印刷電路板和封裝不會立即升溫。

雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值,并形成強電場使器件內電流增加。該電流將耗散功率,使器件的溫度升高,而且有可能損壞器件。半導體公司都會對器件進行雪崩測試,計算其雪崩電壓,或對器件的穩(wěn)健性進行測試。計算額定雪崩電壓有兩種方法;一是統(tǒng)計法,另一是熱計算。而熱計算因為較為實用而得到廣泛采用。除計算外,技術對雪崩效應也有很大影響。例如,晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力,最終提高器件的穩(wěn)健性。對最終用戶而言,這意味著要在系統(tǒng)中采用更大的封裝件。


第四步:開關性能

選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開關性能。影響開關性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗,因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低,器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗,設計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達:Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關性能的影響最大。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助











顺昌县| 长岭县| 太仆寺旗| 延吉市| 北辰区| 滦南县| 定边县| 昌平区| 临城县| 郯城县| 万荣县| 土默特左旗| 九寨沟县| 扶风县| 安国市| 元氏县| 崇仁县| 边坝县| 邹城市| 黄石市| 怀仁县| 雷山县| 麻江县| 抚松县| 永清县| 安阳市| 来宾市| 青浦区| 瑞金市| 富民县| 浪卡子县| 大理市| 商洛市| 嘉黎县| 遂溪县| 景东| 谷城县| 临安市| 八宿县| 云梦县| 临桂县|