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KIA半導(dǎo)體推出碳化硅二極管(SiC diode)

信息來源:KIA半導(dǎo)體 日期:2016-03-19 

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為了滿足嚴(yán)格的最新效率規(guī)范(能源之星、80Plus、歐洲能源效率)的要求,電源設(shè)計者必須考慮使用新型功率轉(zhuǎn)換器拓?fù)浜托矢叩碾娮釉绺邏禾蓟瑁⊿iC)二極管。

KIA半導(dǎo)體的SiC二極管利用了碳化硅出色的物理特性,其動態(tài)反向恢復(fù)特性比硅好4倍、正向?qū)妷篤F比它低15%。


在硬開關(guān)應(yīng)用中,比如高端服務(wù)器和通訊電源,SiC肖特基二極管大幅降低了功率損耗,并且得到了廣泛使用。它們還越來越多地被應(yīng)用到太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動器、不間斷電源(UPS)和電動車(EV)之中。


KIA半導(dǎo)體推出了全套SiC二極管,其電壓范圍為600 ~ 1700 V。這些產(chǎn)品提供多種封裝選項(xiàng),讓設(shè)計者能夠靈活提高效率和可靠性,加快產(chǎn)品面市步伐,削減成本。



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