KIA半導體推出超結場效應管(Super Junction MOSFET)
信息來源：本站 日期：2016-03-19
采用先進的耐壓原理和優(yōu)化的設計結構,全新600～900V SJ-MOS Ⅱ系列產(chǎn)品為系統(tǒng)應用提供充足的耐壓余量，簡化系統(tǒng)設計難度，提高系統(tǒng)可靠性，滿足客戶對高耐壓、低導通電阻和高效率超結MOSFET的需求。
特性：
- 更高的耐壓為系統(tǒng)設計和應用提供更充足的余量
- 更低的導通電阻，利于降低導通損耗
- 極低的柵極電荷，提供更快的開關速度
- 同規(guī)格下更小的封裝體積，使系統(tǒng)更輕便
- 100% 雪崩能力測試，確保產(chǎn)品質(zhì)量可靠
應用領域：
- 正激電路
- 準諧振反激電路
- 適配器
- 太陽能逆變器
- 工業(yè)整流
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