如下圖所示R5模擬后級負載,Q1為開關,當R3端口的激勵源為高電平時,Q2飽和導通...如下圖所示R5模擬后級負載,Q1為開關,當R3端口的激勵源為高電平時,Q2飽和導通,MOS管Q1的VGS
在PFC電路中,常用的結構是BOOST電路,功率MOSFET工作在開關狀態(tài),將輸入的電流...在PFC電路中,常用的結構是BOOST電路,功率MOSFET工作在開關狀態(tài),將輸入的電流斬波為和輸入正弦波電壓同相位的、具有正弦波包絡線的開關電流波形,從而提高輸入的...
MOS管3203 30V100A參數(shù)-特點 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進溝槽MO...MOS管3203 30V100A參數(shù)-特點 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進溝槽MOS技術 極低通阻RDS(通) 符合JEDEC標準
MOS管有如下參數(shù): Operating Junction :Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下參數(shù): Operating Junction :Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current(Rjc):I(T=Tc)。 Power Dissipation(Rjc):P(T=Tc)。
1、跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高...1、跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高于一定的值,就可以了。 MOS管和晶體管向比較 c ,b ,e —–> d (漏), g(柵) , s...
驅動電壓10V,驅動信號為PWM波,占空比為50%,頻率為1Mhz,寄生電感10nH,MOS管...驅動電壓10V,驅動信號為PWM波,占空比為50%,頻率為1Mhz,寄生電感10nH,MOS管寄生電容為1nF,柵極串聯(lián)電阻為20Ω,這個電阻消耗的功率是多大?