1.該電路用于高邊開關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時，開關(guān)Q1導(dǎo)通； 2.電路中D3作...1.該電路用于高邊開關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時，開關(guān)Q1導(dǎo)通； 2.電路中D3作用為鉗位Q1門源電壓在12V左右，以保護(hù)Q1；
DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能（下圖），這些...DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能（下圖），這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量開釋給負(fù)載。
下面以圖10中電機(jī)控制電路來說明米勒效應(yīng)對MOSFET開通關(guān)斷過程的影響。在圖10控...下面以圖10中電機(jī)控制電路來說明米勒效應(yīng)對MOSFET開通關(guān)斷過程的影響。在圖10控制電路中，上管導(dǎo)通時，VDD通過Q1、Q4對電機(jī)進(jìn)行勵磁；上管關(guān)斷時，電機(jī)通過Q4、Q3...
MOSFET的dv/dt是指開關(guān)瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能...MOSFET的dv/dt是指開關(guān)瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能發(fā)生振鈴，進(jìn)而可能導(dǎo)致MOSFET損壞。
dv/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)...dv/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差vBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短...
雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。該...雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開關(guān)特性，還可以評估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)...
