封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)...封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)格的產(chǎn)品，個(gè)頭小的，功率耗散才能更高，這似乎與我們的生活常識(shí)有些相悖，但是事實(shí)...
我們已經(jīng)知道JFET具有雙向?qū)щ娞匦?，即漏極與源極可以互換，這是有條件的，這個(gè)...我們已經(jīng)知道JFET具有雙向?qū)щ娞匦裕绰O與源極可以互換，這是有條件的，這個(gè)條件就是低電壓、小電流，目前常用的小功率JFET的實(shí)際應(yīng)用也恰恰符合這個(gè)條件。MOS...
電壓規(guī)格(VDSS)：俗稱(chēng)耐壓，至少應(yīng)該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電...電壓規(guī)格(VDSS)：俗稱(chēng)耐壓，至少應(yīng)該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電壓指的是圖2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。詳細(xì)而言，圖中為10.5V，因而Q1、Q2的...
主繞組N2、N3就是為用電電路供電的主繞組，陰影部分除了C1、C2之外，相當(dāng)于兩個(gè)...主繞組N2、N3就是為用電電路供電的主繞組，陰影部分除了C1、C2之外，相當(dāng)于兩個(gè)整流二極管，構(gòu)成了全波整流電路，整流的輸出經(jīng)主濾波電容C3濾波后輸出，輸出電流可...
模塊(Module)是將多個(gè)管芯組裝到同一個(gè)密封外殼內(nèi)的電路組件，目的是為了取得更...模塊(Module)是將多個(gè)管芯組裝到同一個(gè)密封外殼內(nèi)的電路組件，目的是為了取得更大的電流規(guī)格或者電壓規(guī)格，根本的辦法是并聯(lián)（取得大電流）和串聯(lián)（取得高耐壓），...
客戶(hù)的目光通常和你的目光是完整不一樣，沒(méi)經(jīng)歷根底的話(huà)只能讓客戶(hù)幫我們選款，...客戶(hù)的目光通常和你的目光是完整不一樣，沒(méi)經(jīng)歷根底的話(huà)只能讓客戶(hù)幫我們選款，不能本人武斷決議。一款好的產(chǎn)品或好的樣式假如不能得到市場(chǎng)的認(rèn)可
