對(duì)于VMOS而言，柵極懸空無(wú)論是何種條件下都是應(yīng)該盡量避免的，稍有不慎，就會(huì)導(dǎo)...對(duì)于VMOS而言，柵極懸空無(wú)論是何種條件下都是應(yīng)該盡量避免的，稍有不慎，就會(huì)導(dǎo)致VMOS擊穿損壞。這時(shí)候的擊穿一般是柵極與源極擊穿，而不管源極、漏極間的電壓是高...
MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補(bǔ)型金屬氧化物半...MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)是目前比擬成熟的半導(dǎo)休集成下藝之一，能夠了解為集成電路中的橫向構(gòu)造MOSFET...
HEXMOS與管芯構(gòu)造 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠?qū)⒖趶阶龅煤艽?，這時(shí)分...HEXMOS與管芯構(gòu)造 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠?qū)⒖趶阶龅煤艽螅@時(shí)分的水龍頭一般稱為“閥門(mén)”，當(dāng)然也能夠用多個(gè)小口徑的水龍頭來(lái)替代，只是工程上很少...
目前大致有兩種辦法，一種是用兩個(gè)相同的半導(dǎo)體構(gòu)建柵區(qū)，這兩個(gè)柵區(qū)就像水龍頭...目前大致有兩種辦法，一種是用兩個(gè)相同的半導(dǎo)體構(gòu)建柵區(qū)，這兩個(gè)柵區(qū)就像水龍頭的閥芯與閥座，所不同的是，閥座是固定的，而兩個(gè)柵區(qū)都是“挪動(dòng)”的，即兩個(gè)柵區(qū)同...
場(chǎng)效應(yīng)管只靠“多子”米導(dǎo)電，換言之，只靠一種極性的載流子導(dǎo)電；而B(niǎo)JT（雙極...場(chǎng)效應(yīng)管只靠“多子”米導(dǎo)電，換言之，只靠一種極性的載流子導(dǎo)電；而B(niǎo)JT（雙極性晶體管）則同時(shí)靠“多子”和與之極性相反的“少子”停止導(dǎo)電，因而場(chǎng)效應(yīng)管屬于單...
材料的導(dǎo)電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數(shù)量決定的。從能量的角度...材料的導(dǎo)電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數(shù)量決定的。從能量的角度來(lái)看，自由電子的能量比較高，因此往外力的作用下（電場(chǎng)等）可以自由移動(dòng)，如果將它...
