開關(guān)損耗，指的是在芯片內(nèi)部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打開和關(guān)閉的器件...開關(guān)損耗，指的是在芯片內(nèi)部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打開和關(guān)閉的器件產(chǎn)生的功耗。如圖一的顯示兩種開關(guān)電源控制芯片內(nèi)部架構(gòu)，以BUCK的方式為例。
圖中電池的正電通過開關(guān)S1接到場效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個P溝道管，它的...圖中電池的正電通過開關(guān)S1接到場效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個P溝道管，它的1腳柵極通過R20電阻提供一個正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過，3v穩(wěn)壓I...
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向...MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
KIA4610A是高密度N溝道MOS管，具有優(yōu)良的RDSON和柵極特性，為大多數(shù)同步降壓變...KIA4610A是高密度N溝道MOS管，具有優(yōu)良的RDSON和柵極特性，為大多數(shù)同步降壓變換器應(yīng)用充電。KIA4610A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多數(shù)同步buck變...KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多數(shù)同步buck變換器應(yīng)用的門極電荷。KIA6706A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
低功耗按照類型分類，其構(gòu)成主要有動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、浪涌功耗這三種。 1）...低功耗按照類型分類，其構(gòu)成主要有動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、浪涌功耗這三種。 1）動態(tài)功耗 動態(tài)功耗包括：開關(guān)功耗或者稱為翻轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗。
