場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N...場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET(Junction Field Effect Transister)和...
mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開(kāi)經(jīng)過(guò)程(由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程)、導(dǎo)通狀態(tài)...mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開(kāi)經(jīng)過(guò)程(由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程(由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程)、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài),開(kāi)...
MOSFET按比例減少M(fèi)OSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續(xù)的趨向.在集成電路中,較...MOSFET按比例減少M(fèi)OSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續(xù)的趨向.在集成電路中,較小的器件尺寸可到達(dá)較高的器件密度,此外,較短的溝道長(zhǎng)度町改善驅(qū)動(dòng)電流(ID~1/L)...
當(dāng)溝道的邊緣效應(yīng)變得不可疏忽時(shí),隨著溝道的縮減,n溝道MOSFET的閾值電壓通常...當(dāng)溝道的邊緣效應(yīng)變得不可疏忽時(shí),隨著溝道的縮減,n溝道MOSFET的閾值電壓通常會(huì)變得不像原先那么正,而關(guān)于p溝道MOSFET而言,則不像原先那么負(fù),圖6.23顯現(xiàn)了在V...
場(chǎng)效應(yīng)管晶體管工作原理場(chǎng)效應(yīng)管晶體管工作原理
1.開(kāi)啟電壓VT-開(kāi)啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開(kāi)端構(gòu)成導(dǎo)電溝...1.開(kāi)啟電壓VT-開(kāi)啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開(kāi)端構(gòu)成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;-規(guī)范的N溝道MOS管,VT約為3~6V;-經(jīng)過(guò)工藝上的改良,能夠使MOS...