在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V...在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。 這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路...
一反激電源實(shí)測(cè)Ids電流時(shí)前端有一個(gè)尖峰（如下圖紅色圓圈里的尖峰圖），這個(gè)尖...一反激電源實(shí)測(cè)Ids電流時(shí)前端有一個(gè)尖峰（如下圖紅色圓圈里的尖峰圖），這個(gè)尖峰到底是什么原因引起的？怎么來(lái)消除或者改善？
開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸...開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。開(kāi)關(guān)電...
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)...IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而...
熱阻值是功率器件中主要的參數(shù)之一，反映了功率器件的驅(qū)動(dòng)能力。熱阻值的大小與...熱阻值是功率器件中主要的參數(shù)之一，反映了功率器件的驅(qū)動(dòng)能力。熱阻值的大小與功率器件本身和所在 PCB 板散熱面積有關(guān)。因此，本文描述了功率器件的熱阻值的測(cè)量...
KIA3402采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了優(yōu)越的RDS(on)，低門(mén)電荷門(mén)極電壓低至2.5...KIA3402采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了優(yōu)越的RDS(on)，低門(mén)電荷門(mén)極電壓低至2.5V。該產(chǎn)品適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或用于脈寬調(diào)制應(yīng)用。KIA3402（綠色產(chǎn)品）采用無(wú)鉛包裝。...
