MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪...MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點,因此被廣泛的...
KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供出色的RDS(on),低柵極電荷并在低至2.5V的柵...KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供出色的RDS(on),低柵極電荷并在低至2.5V的柵極電壓下運(yùn)行。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3400是無鉛的(符合ROH...
相移全橋電路中輕負(fù)載時流過的電流小,LS中積蓄的能量少,所以很有可能在滯后臂...相移全橋電路中輕負(fù)載時流過的電流小,LS中積蓄的能量少,所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關(guān)工作。因此,ZVS工作無法執(zhí)行,很容易發(fā)生MOSFET的...
例如,許多中高壓MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)結(jié)構(gòu),而小于200V...例如,許多中高壓MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)結(jié)構(gòu),而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS(U-MOS)結(jié)構(gòu)。因此,當(dāng)耐受電壓VDSS=600V時,Rdrift成為主...
N溝道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D ...N溝道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A 功率MOSFET 100%測試
通過模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個四端口網(wǎng)絡(luò),這是在實際器件中襯底也是需要...通過模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個四端口網(wǎng)絡(luò),這是在實際器件中襯底也是需要接參考的。 通常NMOS器件襯底接地(或最低電平),相對應(yīng)PMOS器件襯底接電源(或最...