圖1為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設(shè)...圖1為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。其中一路直接接到下管，另外一路經(jīng)反向器反向后驅(qū)動(dòng)上管。RP1，RP2用于調(diào)節(jié)死區(qū)...
首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同...首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時(shí)您讓高側(cè)面積更大（旨在降低其電阻），則低側(cè)的面積必減小，而其電阻增加。
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產(chǎn)品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提...P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產(chǎn)品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提供出色的導(dǎo)通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵極電荷。
反激電源是最常用的拓?fù)渲?。其變壓器漏感常?huì)引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會(huì)損壞 MO...反激電源是最常用的拓?fù)渲?。其變壓器漏感常?huì)引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會(huì)損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過(guò)變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計(jì)來(lái)控制振鈴非常重要。
數(shù)據(jù)表中，功率MOSFET有不同的熱阻值，數(shù)據(jù)表中的熱阻都是在一定的條件下測(cè)試的...數(shù)據(jù)表中，功率MOSFET有不同的熱阻值，數(shù)據(jù)表中的熱阻都是在一定的條件下測(cè)試的。MOSFET反并聯(lián)二極管相當(dāng)于一個(gè)溫度傳感器，一定的溫度對(duì)應(yīng)著一定的二極管的壓降。...
靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用（稱(chēng)為靜電）導(dǎo)...靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用（稱(chēng)為靜電）導(dǎo)致兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題：靜電過(guò)應(yīng)力（EOS）和靜電放電（ESD）。靜電可以定義為累積在材料表...
